据韩国媒体报道配资低息炒股配资门户，7月1日，三星电子在当地时间下午正式批准了其第六代10nm级DRAM内存工艺——1c纳米的生产准备。这一决定意味着三星已全面完成1c纳米内存技术的研发，即将迈入量产阶段。
三星即将推出的HBM4 12Hi内存产品将采用基于1c纳米工艺的DRAM芯片，该技术的性能表现预计将对三星电子DS部门存储器事业部未来一至两年的营收状况产生重要影响。
在此之前配资低息炒股配资门户，SK海力士与美光也已相继完成第六代20~10nm制程DRAM技术的开发。至此，全球三大存储器厂商在推进工艺制程进入10nm门槛的进程中均取得了关键进展。
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